【韓国】サムスン、10ナノ非メモリー半導体の量産開始＝世界初　来年発売予定のギャラクシーS8に搭載へ[10/17]

ダース・シコリアン卿 ★＠＼(^o^)／

サムスン電子は17日、回路の線幅が10ナノメートル（1ナノは10億分の1）の非メモリー半導体の量産を世界で初めて開始したと発表した。

メモリー半導体で世界1位のサムスン電子が、非メモリー分野でも最高レベルの技術力を証明したことになる。

従来の最先端製品の線幅は14ナノメートルだった。半導体は線幅が細くなるほど生産性と性能が向上するため、線幅を細くすることが核心技術とされる。

今回量産を開始した半導体は、スマートフォンで情報の演算・処理に使われ頭脳の役割を果たす「アプリケーションプロセッサ（AP）」だ。半導体はシリコンウエハーに回路を刻み、それを切り分けて生産するため、線幅が細くなるほど回路が小さくなり、同じウエハーからより多くの半導体チップが生産される。

サムスン電子によると、10ナノメートルの技術を適用することにより、14ナノメートルの製品に比べシリコンウエハー1枚当たりのチップ生産量が30%増加したという。

線幅が細くなってチップのサイズが小さくなれば、電力消費量が減少し、動作スピードも速くなる。半導体内部で電流が流れる物理的空間が狭くなるからだ。10ナノメートル半導体の計算速度は14ナノメートル半導体に比べ27%向上し、電力消費量は40%減少した。

この半導体を搭載すればスマートフォンの動きも速くなり、バッテリー消費も節約できる。サムスン電子は来年初に発売予定のスマートフォン「ギャラクシーS8」にこの半導体を搭載し、その後製品群を拡大する予定だ。

サムスンは他社が設計した半導体の委託生産（ファウンドリ生産）事業でも10ナノメートル技術を本格的に適用する計画だ。サムスン電子はファウンドリ分野で世界4位につけている（2015年の売上高基準）。

サムスンは今回、ファウンドリ分野で世界1位の台湾TSMCより先に10ナノメートル半導体の量産を開始することで、顧客企業を積極的に増やしていく戦略だ。

サムスン電子は顧客企業が容易に半導体設計図を作成できるよう、開発ツールを提供するなどファウンドリ事業拡大にも積極的に乗り出している。

サムスン電子ファウンドリ事業チームのユン・ジョンシク・チーム長(副社長級)は「来年以降も10ナノメートル技術の開発を続け、非メモリー半導体事業を育成したい」と述べた。

朝鮮日報／朝鮮日報日本語版チェ・ミンギ記者
http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2016/10/17/2016101703313.html

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