電磁波犯罪被害(電磁波兵器/マインドコントロール)

>>94
我々の実験では、曝露された対象の表面上の放射線電力密度（P）は、1、10、30および100μW/cm^2でした。
我々は直線偏光または楕円偏光を適用しました。全ての実験内の照射時間は10秒でした。我々の実験で適用された
低い照射エネルギーにおいては、計算された細胞サンプル温度の増加は非常に小さいものです。実験装置の精密な
数値シミュレーションによって実行された細胞サンプルの温度変化の計算は、最大電磁力、すなわち100μW/cm^2
が印加された状況内でさえ、10秒間の照射中の細胞サンプル温度の上昇は0.0076℃未満です。楕円偏光放射を得る
ため、我々は格子偏光子を適用し、その表面はベクトルK（電磁場伝播の方向）に対して垂直であり、ベクトルE
（電磁界の電界成分）に対して角度φ=45°に向けられました。楕円偏光電磁場は、同一周波数（f0）だが異なる
振幅（E1およびE2）かつz軸に沿って広がる変移した位相（ψ）のふたつの直線偏光相互直交波Ex=E1cos2πf0t
およびEy=E2cos（2πf0t+ψ）の重ね合わせの結果と解釈できます。ここでtは時間を表します。ψ=0または
ψ=±πなら、電磁界は直線偏光を有します；ψ=±π/2およびE1=E2なら、円偏光です。ψ≠nπかつE1≠E2の場合
、電磁界は楕円偏光です。従って、円偏光電磁界は楕円偏光電磁界の特殊な状況です。この研究では、マイクロ波
放射源は直線偏光波を発生させ、それは格子偏光子によって楕円率が0.65の楕円偏光波に変換されました。
これは、我々の以前の研究で使用されたものと同じ実験設定です（Shckorbatovほか2009）。